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HG65C1R200N

氮化鎵

HG65C1R200N

HG65C1R200N基本參數

型號 最大漏極電壓 最大漏極電流 導通內阻 封裝 柵極總電荷 反向恢復電荷 PDF下載
HG65C1R200N 650V 12A 200m? DFN8*8 9.5nC 110nC HG65C1R200NPDF文件

HG65C1R200N應用范圍

PD快充TV電源LED電源適配器電源排插車載充電頭

其他介紹

HG65C1R200N采用DFN8*8封裝、650V、200mΩ氮化鎵FET。它是一款常關器件,將最新的高壓氮化鎵 HEMT與低壓硅 MOSFET相結合,提供卓越的可靠性和性能。HGN65C1R120F經JEDEC認證,先進的動態RDSon測試,具有寬柵極安全裕度、低反向恢復的特性。符合RoHS、REACH、無鹵標準。提高硬開關和軟開關電路的效率(增加功率密度、減小系統尺寸和重量、整體系統成本較低),也兼容傳統Si驅動器。
D-Mode氮化鎵二維電子氣濃度高,方阻低,共源共柵閾值電壓為3V, VGS耐壓在±20V,之間,動態電阻小于1.1,驅動更簡單




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您收到樣品后,請盡早在應用項目中進行測試,并將使用情況通過郵箱ast@asiasemitech.com反饋給我們。

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